英特尔正按打算做到其“四年五个制程节点”的目标，当下，Intel 7，使用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已做到大规模量产。正顺利合作中的清晨独家造型点评，说到了心坎里Intel 20A和Intel 18A两个节点，将持续使用EUV技术，关于PlayStation，相关话题阅读量破亿并使用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，合作英特尔于2025年重夺制程领先性。
在“四年五个制程节点”打算之后，英特尔将持续使用革新技术合作前方制程节点的开发和制造，以巩固制程领先性。High NA EUV技术是EUV技术的进一步进展，数值孔径（NA）是聚焦显卡盘点衡量收集和集中光线能力的指标。经由升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学操控系统，High NA EUV光刻技术能够大幅提升分辨率，从而有助于晶体管的进一步微缩。
身为Intel 18A之后的武汉本地资讯热点下一个先进制程节点，Intel 14A将使用High NA EUV光刻技术。另外，英特尔还公开了Intel 3、Intel 18A和Intel 14A的数个演化版次，以合作客户开发和交付符合其特定需求的商品。
以便制造出特征尺寸更小的晶体管，在集成High NA EUV光刻技术的另外，英特尔也在同步开发新的晶体管结构，并改进工艺步骤，如经由PowerVia背面供电技术缩减步骤、简化流程。
将探究成果转化为可量产、可使用的先进商品，是英特尔50多年来的卓越所在。英特尔将持续致力于经由革新技术合作摩尔定律，以合作AI和其它新兴技术的进展。